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FDZ191P MOS(场效应管)




货号:FDZ191P

规格:WLCSP-6

计量单位:pcs

交货周期:3-5天

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DeepBio得分:5567.2
DeepBio得分 是基于文献引用次数,影响因子,文献新近度等因素计算的客观产品评级,得分越高表明该产品经过越可靠的实验验证,质量可信度越高

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FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 85 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 800pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.9W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-WLCSP(1.0x1.5)
封装/外壳 6-UFBGA,WLCSP